近期，二极管行业在政策、市场、技术等多方面呈现出积极的发展态势，不断取得新的突破与进展。
在政策扶持层面，我国为推动二极管行业的发展发布了多项政策。2024 年 11 月，商务部发布的《支持苏州工业园区深化开放创新综合试验的若干措施》提出建设未来产业创新试验区，前瞻布局先进半导体技术及应用等重点产业。在此之前，2024 年 1 月，工业和信息化部等七部门发布的《关于推动未来产业创新发展的实施意见》，明确要发展高性能碳纤维、先进半导体等关键战略材料。各省市也积极响应，如 2024 年 2 月发布的《关于支持企业开拓国际市场的实施意见》提出加强对半导体产业龙头企业跟踪帮扶，支持出口支柱产业企稳回升。这些政策为二极管行业营造了良好的发展环境，从研发投入到市场拓展等多方面给予支持，有助于推动行业的持续创新与壮大。
市场规模方面，二极管行业展现出良好的增长趋势。据《2025 - 2030 年全球及中国二极管行业市场现状调研及发展前景分析报告》预测，2030 年全球便携式二极管市场规模将达到 16.2 亿美元，未来几年年复合增长率 CAGR 为 11.0%。到 2024 年，我国二极管市场规模已达到 15.54 亿美元。受益于国家经济刺激政策的实施以及新能源、新技术的应用，下游最终产品的市场需求保持着良好的增长态势，为半导体二极管行业的发展提供了广阔的市场空间。目前，国外二极管企业凭借生产技术较高、质量较好、产品种类丰富等优势，占据了我国大部分市场。但国产二极管行业市场集中度正稳步上升，企业资金充裕和研发投入持续增长，且国产二极管封装技术已达到国际先进水平，有力地推动了半导体二极管芯片行业的快速发展。
从技术创新角度来看，快恢复整流二极管发展迅猛。快恢复整流二极管（Fast Recovery Rectifier Diode，简称 FRRD）具有反向恢复时间短、低反向恢复电流的特点，适用于高频电路和电源转换设备。随着电力电子技术的发展，其性能不断提升，采用宽禁带半导体材料（如碳化硅 SiC 和氮化镓 GaN）以及创新封装技术，使其在更高频率和更高功率的应用中表现更为优异。云计算、大数据、人工智能等新兴技术的普及，以及新能源汽车、航空航天等领域的快速发展，极大地推动了快恢复整流二极管的需求增长。中国快恢复整流二极管市场集中于华东、华南和华北地区，其中华东地区因工业基础雄厚占据较大市场份额。预计到 2030 年，中国快恢复整流二极管市场规模将达到新的高峰，国内企业在技术创新方面取得显著进展，市场份额逐步提升。
在专利成果方面，众多企业积极布局。国家知识产权局信息显示，2025 年 1 月，珠海格力电子元器件有限公司和珠海格力电器股份有限公司申请了名为 “二极管结构” 的专利（公开号 CN119967824A）。该发明提供的二极管结构，包括基底层体、填充槽、外延填充层体、第一金属层体和第二金属层体等，解决了现有技术中的 SIC 二极管耐高压能力较低的问题。同月，上海显耀显示科技有限公司申请了 “一种微型发光二极管芯片及其构造方法” 的专利（公开号 CN119967989A），能够有效降低芯片漏电率，减少集聚电流的产出，极大提高产品可靠性，同时提升微型发光二极管芯片的发光效率。2025 年 1 月，江苏宏微科技股份有限公司申请了 “快恢复二极管芯片及其制备方法” 的专利（公开号 CN119947135A），通过在特定区域设置寿命控制区域，可降低 Irrm 以及 ta，还能实现 tb 可调，提高器件特性自定义程度。2024 年 8 月，新风光 (苏州) 技术有限公司申请的 “一种二极管整流单元” 专利获得授权（授权公告号 CN222839575U），该二极管整流单元通过设置缓冲模块，经缓冲电阻的限流来对直流母线电容进行充电，避免了电容过充，且接线简单，更有利于实现相关设备的 “并柜” 操作。
二极管行业正处于快速发展阶段，政策的支持为行业注入动力，市场需求的增长提供了广阔空间，技术创新与专利成果不断涌现。随着各方面的协同发展，二极管行业有望在未来取得更为显著的成绩，在电子产业及众多应用领域发挥更为重要的作用。